柳月 光刻技术的基本原理与工艺流程
光刻（Lithography）技术是指光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜上的图形转移到衬底上的图形精细加工技术。据贤集网小编了解其最早应用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。可以说，光刻技术是现代半导体、微电子、信息产业的基础，光刻技术直接决定了这些技术的发展水平。自1959年集成电路成功发明至今的近60年中，其图形线宽缩小了约四个数量级，电路集成性提高了六个数量级以上。这些技术的飞速进步主要归功于光刻技术的发展。
（集成电路制造的各个发展阶段对于光刻技术的要求）
光刻基本原理
光刻材料一般特指光刻胶，又称为光刻抗蚀剂，是光刻技术中的最关键的功能材料。这类材料具有光（包括可见光、紫外光、电子束等）反应特性，经过光化学反应后，其溶解性发生显著变化。其中，正性光刻胶在显影液中的溶解度增加，得到的图案与掩膜版相同；负性光刻胶则相反，即经显影液后溶解度降低甚至不溶，得到的图案与掩膜版相反。两种光刻胶的应用领域是不同的，正性光刻胶使用更为普遍，占到总量的80%以上。
以上是光刻工艺的流程示意图。简单介绍如下：
（1）涂胶：即在硅片上形成厚度均匀、附着性强、没有缺陷的光刻胶薄膜。为了增强光刻胶薄膜与硅片之间的附着力，往往需要先用六甲基二硅氮烷（HMDS）、三甲基硅烷基二乙胺（TMSDEA）等物质对硅片进行表面改性。随后以旋涂的方式制备光刻胶薄膜。
（2）前烘：经过旋涂后的光刻胶薄膜依旧残留有一定含量的溶剂。经过较高温度的烘烤，可以将溶剂尽可能低挥发除去，前烘之后，光刻胶的含量降低到5%左右。
（3）曝光：即对光刻胶进行光照，此时光反应发生，光照部分与非光照部分因此产生溶解性的差异。
（4）显影&坚膜：即将产品浸没于显影液之中，此时正性胶的曝光区和负性胶的非曝光区则会在显影中溶解。以此呈现出三维的图形。经过显影后的晶片，需要一个高温处理过程，成为坚膜，主要作用为进一步增强光刻胶对衬底的附着力。
（5）刻蚀：受到刻蚀的是光刻胶下方的材料。包括液态的湿法刻蚀和气态的干法刻蚀。比如对于硅的湿法刻蚀，使用的为氢氟酸的酸性水溶液；对于铜的湿法刻蚀，使用的为硝酸、硫酸等强酸溶液，而干法刻蚀往往使用等离子体或者高能离子束，使材料表面产生损伤而得到刻蚀。
（6）去胶：最后需要将光刻胶从镜片表面除去，这一步骤称为去胶。
