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短沟道效应解决办法(减小沟道效应的措施)

MOSFET及沟道

MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 的缩写,从字面意思去理解,金属-氧化物-半导体结构的场效应管。结构如下图.

短沟道效应解决办法(减小沟道效应的措施)

图中的尺寸L 就是特征尺寸栅长,也是沟道长度。手机中提到的7nm制程工艺就是指这个尺寸。

沟道为什么要缩短

集成度↑,功耗↓,速度↑,功能↑,价格/功能 ↓;

沟道缩短有什么影响

1.线性区阈值电压下降

短沟道效应解决办法(减小沟道效应的措施)

2.漏至势垒降低

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3.本体穿通

短沟道效应解决办法(减小沟道效应的措施)

怎么抑制短沟道效应

1,沟道掺杂分布

表面处掺杂浓度低–保证低阈值电压;

表面下方掺杂浓度高–控制穿通效应;

2,栅叠层

1)金属栅

2)高K栅介质层

3,源漏设计-硅化物接触技术

短沟道效应解决办法(减小沟道效应的措施)

关于作者: 柳月

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